Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники

Н.Г. Басов^а, А.Б. Кравченко, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
Цитата: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э "Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники" УФН 134 748–750 (1981)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники
%A Н. Г. Басов
%A А. Б. Кравченко
%A А. Ф. Плотников
%A В. Э. Шубин
%I Успехи физических наук
%D 1981
%J Усп. физ. наук
%V 134
%N 8
%P 748-750
%U https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0134.198108l.0748

English citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors” Sov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855