Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники

Н.Г. Басов^а, А.Б. Кравченко, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
Цитата: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э "Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники" УФН 134 748–750 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors
A1 Basov,N.G.
A1 Kravchenko,A.B.
A1 Plotnikov,A.F.
A1 Shubin,V.É.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1981
FD 10 Aug, 1981
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 134
IS 8
SP 748-750
DO 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
LK https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/

English citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors” Sov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855