|
||||||||||||||||||
Многоэкситонные комплексы в полупроводникаха Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация Содержание: Введение. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов. Спектры излучения МЭПК в Si. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si. Заключение. Цитированная литература.
|
||||||||||||||||||
|