Выпуски

 / 

1985

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Экситонные молекулы в полупроводниках

 а,  б,  а
а Институт физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация
б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Энергия связи экситонных молекул (ЭМ)
3. Экситонные молекулы в полупроводниках с непрямой запрещенной зоной (Si и Ge)
а) Излучательный распад ЭМ в одноосно сжатых кристаллах Si и Ge
б) Форма спектра излучения ЭМ при непрямой аннигиляции
в) Энергия связи ЭМ в Si и Ge (экспериментальные методы)
г) Ударная диссоциация ЭМ свободными носителями в слабом электрическом поле
д) ЭМ в полупроводниках с различным числом электронных долин
е) Многоэкситонные молекулы
4. Экситонные молекулы в магнитном поле (Si и Ge)
а) Краткое введение
б) Непрямые экситоны в магнитном поле
в) Диамагнитная восприимчивость ЭМ
г) ЭМ в сильном магнитном поле
5. Экситонные молекулы в прямозонных полупроводниках
а) Индуцированное светом превращение экситона в биэкситон
б) Гигантское двухфотонное поглощение с рождением биэкситона
в) Поляритонные эффекты
г) Индуцированная биэкситонами реабсорбция. Дисперсия биэкситонов
д) Гиперкомбинационное рассеяние через промежуточное биэкситонное состояние
е) Перестройка диэлектрической функции вблизи двухфотонного биэкситонного резонанса
ж) Четырехволновое смешивание в спектральной области двухфотонного поглощения с рождением биэкситона
6. Заключение
Список литературы

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 71.35.−y, 78.30.Fs (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0147.198509a.0003
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/9/a/
Цитата: Кулаковский В Д, Лысенко В Г, Тимофеев В Б "Экситонные молекулы в полупроводниках" УФН 147 3–47 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Kulakovskii V D, Lysenko V G, Timofeev V B “Excitonic molecules in semiconductorsSov. Phys. Usp. 28 735–761 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n09ABEH003990

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение