Экситонные молекулы в полупроводниках
В.Д. Кулаковский а,
В.Г. Лысенко б,
В.Б. Тимофеев а
а Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
б Институт проблем технологии микроэлектроники РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение 2. Энергия связи экситонных молекул (ЭМ) 3. Экситонные молекулы в полупроводниках с непрямой запрещенной зоной (Si и Ge) а) Излучательный распад ЭМ в одноосно сжатых кристаллах Si и Ge б) Форма спектра излучения ЭМ при непрямой аннигиляции в) Энергия связи ЭМ в Si и Ge (экспериментальные методы) г) Ударная диссоциация ЭМ свободными носителями в слабом электрическом
поле д) ЭМ в полупроводниках с различным числом электронных долин е) Многоэкситонные молекулы 4. Экситонные молекулы в магнитном поле (Si и Ge) а) Краткое введение б) Непрямые экситоны в магнитном поле в) Диамагнитная восприимчивость ЭМ г) ЭМ в сильном магнитном поле 5. Экситонные молекулы в прямозонных полупроводниках а) Индуцированное светом превращение экситона в биэкситон б) Гигантское двухфотонное поглощение с рождением биэкситона в) Поляритонные эффекты г) Индуцированная биэкситонами реабсорбция. Дисперсия биэкситонов д) Гиперкомбинационное рассеяние через промежуточное биэкситонное состояние е) Перестройка диэлектрической функции вблизи двухфотонного биэкситонного
резонанса ж) Четырехволновое смешивание в спектральной области двухфотонного поглощения с рождением биэкситона 6. Заключение Список литературы
|