Многоэкситонные комплексы в полупроводниках

В.Д. Кулаковский^а, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев^а
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Содержание: Введение. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов. Спектры излучения МЭПК в Si. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,9 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805

PACS: 71.55.Fr, 71.35.+z
DOI: 10.3367/UFNr.0135.198110d.0237
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/
Цитата: Кулаковский В Д, Пикус Г Е, Тимофеев В Б "Многоэкситонные комплексы в полупроводниках" УФН 135 237–284 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Многоэкситонные комплексы в полупроводниках
AU Кулаковский, В. Д.
AU Пикус, Г. Е.
AU Тимофеев, В. Б.
PB Успехи физических наук
PY 1981
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 135
IS 10
SP 237-284
UR https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0135.198110d.0237

English citation: Kulakovskii V D, Pikus G E, Timofeev V B “Multiexciton complexes in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 24 815–840 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805