Многоэкситонные комплексы в полупроводниках

В.Д. Кулаковский^а, Г.Е. Пикус, В.Б. Тимофеев^а
^аИнститут физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Содержание: Введение. Оболочечная модель связанных многоэкситонных комплексов. Спектры излучения МЭПК в Si. Тонкая структура уровней ЭПК в Ge. Правила отбора для переходов в МЭПК в Si и Ge. Влияние упругих одноосных формаций на спектры излучения МЭПК. Влияние магнитного поля на спектры МЭПК. Электронно-дырочный и электронно-электронный обмен и тонкая структура уровней МЭПК в Si. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,9 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805

PACS: 71.55.Fr, 71.35.+z
DOI: 10.3367/UFNr.0135.198110d.0237
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/
Цитата: Кулаковский В Д, Пикус Г Е, Тимофеев В Б "Многоэкситонные комплексы в полупроводниках" УФН 135 237–284 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Многоэкситонные комплексы в полупроводниках
A1 Кулаковский,В.Д.
A1 Пикус,Г.Е.
A1 Тимофеев,В.Б.
PB Успехи физических наук
PY 1981
FD 10 Oct, 1981
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 135
IS 10
SP 237-284
DO 10.3367/UFNr.0135.198110d.0237
LK https://ufn.ru/ru/articles/1981/10/d/

English citation: Kulakovskii V D, Pikus G E, Timofeev V B “Multiexciton complexes in semiconductors” Sov. Phys. Usp. 24 815–840 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n10ABEH004805