Выпуски

 / 

1973

 / 

Октябрь

  

Новые приборы и методы измерений


Новый класс электронных эмиттеров

Дан обзор литературы, отражающий современное состояние (на начало 1973 г.) проблемы создания фото-, вторичных и холодных эмиттеров на новом принципе — получении полупроводниковых структур с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Рассмотрена энергетическая схема приповерхностной области полупроводника с ОЭС и условия ее реализации. Изложены основные теоретические представления о механизме эмиссионного процесса ОЭС-эмиттеров, показано отличие их характеристик от соответствующих характеристик обычных эмиттеров. Рассмотрены технологические проблемы создания ОЭС-фотокатодов для видимой и инфракрасной областей спектра на основе полупроводниковых соединений AIIIBV (главным образом GaAs) и их твердых растворов. Отмечены особенности получения полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и вторичных эмиттеров, работающих на прострел. Приведены основные параметры экспериментальных и освоенных промышленностью ОЭС-фотокатодов и вторичноэлектронных эмиттеров. Сообщаются сведения об использовании поверхностей с ОЭС в пленочных холодных катодах, описан принцип действия инжекционных и оптоэлектропных холодных катодов, приведены их современные параметры. Таблиц 3, иллюстраций 13, библиографических ссылок 106.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 85.60.Ha
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197310f.0331
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/10/f/
Цитата: Соболева Н А "Новый класс электронных эмиттеров" УФН 111 331–353 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Soboleva N A “A new class of electron emittersSov. Phys. Usp. 16 726–738 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n05ABEH004152

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение