Дан обзор литературы, отражающий современное состояние (на начало 1973 г.) проблемы создания фото-, вторичных и холодных эмиттеров на новом принципе — получении полупроводниковых структур с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Рассмотрена энергетическая схема приповерхностной области полупроводника с ОЭС и условия ее реализации. Изложены основные теоретические представления о механизме эмиссионного процесса ОЭС-эмиттеров, показано отличие их характеристик от соответствующих характеристик обычных эмиттеров. Рассмотрены технологические проблемы создания ОЭС-фотокатодов для видимой и инфракрасной областей спектра на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V (главным образом GaAs) и их твердых растворов. Отмечены особенности получения полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и вторичных эмиттеров, работающих на прострел. Приведены основные параметры экспериментальных и освоенных промышленностью ОЭС-фотокатодов и вторичноэлектронных эмиттеров. Сообщаются сведения об использовании поверхностей с ОЭС в пленочных холодных катодах, описан принцип действия инжекционных и оптоэлектропных холодных катодов, приведены их современные параметры. Таблиц 3, иллюстраций 13, библиографических ссылок 106.