Выпуски

 / 

1973

 / 

октябрь

←  →

Новые приборы и методы измерений


Новый класс электронных эмиттеров

Дан обзор литературы, отражающий современное состояние (на начало 1973 г.) проблемы создания фото-, вторичных и холодных эмиттеров на новом принципе — получении полупроводниковых структур с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Рассмотрена энергетическая схема приповерхностной области полупроводника с ОЭС и условия ее реализации. Изложены основные теоретические представления о механизме эмиссионного процесса ОЭС-эмиттеров, показано отличие их характеристик от соответствующих характеристик обычных эмиттеров. Рассмотрены технологические проблемы создания ОЭС-фотокатодов для видимой и инфракрасной областей спектра на основе полупроводниковых соединений AIIIBV (главным образом GaAs) и их твердых растворов. Отмечены особенности получения полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и вторичных эмиттеров, работающих на прострел. Приведены основные параметры экспериментальных и освоенных промышленностью ОЭС-фотокатодов и вторичноэлектронных эмиттеров. Сообщаются сведения об использовании поверхностей с ОЭС в пленочных холодных катодах, описан принцип действия инжекционных и оптоэлектропных холодных катодов, приведены их современные параметры. Таблиц 3, иллюстраций 13, библиографических ссылок 106.

Текст pdf (1,4 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1974v016n05ABEH004152
PACS: 85.60.Ha
DOI: 10.3367/UFNr.0111.197310f.0331
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1973/10/f/
Цитата: Соболева Н А "Новый класс электронных эмиттеров" УФН 111 331–353 (1973)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Soboleva N A “A new class of electron emitters” Sov. Phys. Usp. 16 726–738 (1974); DOI: 10.1070/PU1974v016n05ABEH004152

Статьи, ссылающиеся на эту (3) Похожие статьи (13) ↓

  1. М.Н. Медведев «Детекторы ядерного излучения на основе электроннооптических усилителей света» УФН 90 143–161 (1966)
  2. А.И. Акишин «Регистрация ионных пучков электронными умножителями в масс-спектроскопии и ядерных исследованиях» УФН 66 331–346 (1958)
  3. Г.А. Месяц «Электронная эмиссия из сегнетоэлектрических плазменных катодов» УФН 178 85–108 (2008)
  4. Дж. Беллини, Л. Фоа, М. Джорджи «Измерения времен жизни в области 10-13 c. Полупроводниковые детекторы для измерения времен жизни и получения высокого пространственного разрешения» УФН 142 476–504 (1984)
  5. В.П. Пономаренко «Теллурид кадмия-ртути и новое покoление приборов инфракрасной фотоэлектроники» УФН 173 649–665 (2003)
  6. А.В. Елецкий, К.Л. Дао «Суперконденсаторы на основе графена» УФН 195 635–657 (2025)
  7. Ж. Шарпак «Эволюция автоматических искровых камер» УФН 108 339–382 (1972)
  8. Б. Ливай «Новые применения электронно-вычислительных машин» УФН 106 135–141 (1972)
  9. Дж. Сандвайсс «Измерения времен жизни в области 10-13 c. Введение» УФН 142 473–476 (1984)
  10. Е. Герольд «Перспективы использования твердых тел в электронных схемах» УФН 69 123–148 (1959)
  11. А.С. Копорский, А.В. Чернетский и др. «Электронные методы генерации сверхкоротких импульсов» УФН 63 801–812 (1957)
  12. В.И. Вознесенский, Н.В. Коротких и др. «Осциллографические трубки для записи быстропротекающих процессов» УФН 62 497–522 (1957)
  13. В.С. Вавилов «Полупроводниковые триоды без точечных контактов» УФН 46 96–106 (1952)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение