Новый класс электронных эмиттеров
Дан обзор литературы, отражающий современное состояние (на начало 1973 г.)
проблемы создания фото-, вторичных и холодных эмиттеров на новом принципе —
получении полупроводниковых структур с отрицательным электронным сродством
(ОЭС). Рассмотрена энергетическая схема приповерхностной области полупроводника
с ОЭС и условия ее реализации. Изложены основные теоретические представления
о механизме эмиссионного процесса ОЭС-эмиттеров, показано отличие их характеристик
от соответствующих характеристик обычных эмиттеров. Рассмотрены технологические
проблемы создания ОЭС-фотокатодов для видимой и инфракрасной областей спектра
на основе полупроводниковых соединений AIIIBV (главным образом GaAs) и их твердых
растворов. Отмечены особенности получения полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и вторичных эмиттеров, работающих на прострел. Приведены основные параметры экспериментальных и освоенных промышленностью ОЭС-фотокатодов и вторичноэлектронных
эмиттеров. Сообщаются сведения об использовании поверхностей с ОЭС в пленочных
холодных катодах, описан принцип действия инжекционных и оптоэлектропных
холодных катодов, приведены их современные параметры.
Таблиц 3, иллюстраций 13, библиографических ссылок 106.