Дан обзор литературы, отражающий современное состояние (на начало 1973 г.) проблемы создания фото-, вторичных и холодных эмиттеров на новом принципе — получении полупроводниковых структур с отрицательным электронным сродством (ОЭС). Рассмотрена энергетическая схема приповерхностной области полупроводника с ОЭС и условия ее реализации. Изложены основные теоретические представления о механизме эмиссионного процесса ОЭС-эмиттеров, показано отличие их характеристик от соответствующих характеристик обычных эмиттеров. Рассмотрены технологические проблемы создания ОЭС-фотокатодов для видимой и инфракрасной областей спектра на основе полупроводниковых соединений A^IIIB^V (главным образом GaAs) и их твердых растворов. Отмечены особенности получения полупрозрачных ОЭС-фотокатодов и вторичных эмиттеров, работающих на прострел. Приведены основные параметры экспериментальных и освоенных промышленностью ОЭС-фотокатодов и вторичноэлектронных эмиттеров. Сообщаются сведения об использовании поверхностей с ОЭС в пленочных холодных катодах, описан принцип действия инжекционных и оптоэлектропных холодных катодов, приведены их современные параметры. Таблиц 3, иллюстраций 13, библиографических ссылок 106.

RT Journal
T1 Новый класс электронных эмиттеров
A1 Соболева,Н.А.
PB Успехи физических наук
PY 1973
FD 10 Oct, 1973
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 111
IS 10
SP 331-353
DO 10.3367/UFNr.0111.197310f.0331
LK https://ufn.ru/ru/articles/1973/10/f/