Выпуски

 / 

1971

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698
PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductorsSov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

Статьи, ссылающиеся на эту (10) Похожие статьи (20) ↓

  1. А.Л. Суворов «Автоионная микроскопия радиационных дефектов в монокристаллах» УФН 101 21–52 (1970)
  2. И.А. Аброян, М.А. Еремеев, Н.Н. Петров «Возбуждение электронов в твердых телах сравнительно медленными атомными частицами» УФН 92 105–157 (1967)
  3. А.Л. Картужанский «Элементарные фотографические процессы в электрическом поле» УФН 73 471–502 (1961)
  4. В.А. Алексеев, А.А. Андреев, В.Я. Прохоренко «Электрические свойства жидких металлов и полупроводников» УФН 106 393–429 (1972)
  5. В.С. Вавилов «Природа и энергетический спектр радиационных нарушений в полупроводниках» УФН 84 431–450 (1964)
  6. П.П. Феофилов, А.А. Каплянский «Скрытая оптическая анизотропия кубических кристаллов, содержащих локальные центры, и методы ее исследования» УФН 76 201–238 (1962)
  7. А.И. Олемской, И.А. Скляр «Эволюция дефектной структуры твердого тела в процессе пластической деформации» УФН 162 (6) 29–79 (1992)
  8. А.П. Жернов, А.В. Инюшкин «Влияние композиции изотопов на фононные моды. Статические атомные смещения в кристаллах» УФН 171 827–854 (2001)
  9. И.А. Смирнов, В.С. Оскотский «Фазовый переход полупроводник — металл в редкоземельных полупроводниках (монохалькогениды самария)» УФН 124 241–279 (1978)
  10. И.С. Осадько «Исследование электронно-колебательного взаимодействия по структурным оптическим спектрам примесных центров» УФН 128 31–67 (1979)
  11. Л.Г. Орлов, М.П. Усиков, Л.М. Утевский «Наблюдение дислокаций в металлах с помощью электронного микроскопа» УФН 76 109–152 (1962)
  12. Г.Р. Хуцишвили «Эффект Оверхаузера и родственные явления» УФН 71 9–69 (1960)
  13. В.В. Кирсанов, А.Н. Орлов «Моделирование на ЭВМ атомных конфигураций дефектов в металлах» УФН 142 219–264 (1984)
  14. М.И. Клингер, Ч.Б. Лущик и др. «Создание дефектов в твердых телах при распаде электронных возбуждений» УФН 147 523–558 (1985)
  15. В.А. Алексеев, В.Е. Фортов, И.Т. Якубов «Физические свойства плазмы высокого давления» УФН 139 193–222 (1983)
  16. С.С. Мурзин «Электронный транспорт в квантовом пределе по магнитному полю» УФН 170 387–402 (2000)
  17. А.И. Гусев, С.З. Назарова «Магнитная восприимчивость нестехиометрических соединений переходных d-металлов» УФН 175 681–704 (2005)
  18. Р.С. Берри, Б.М. Смирнов «Фазовые переходы и сопутствующие явления в простых системах связанных атомов» УФН 175 367–411 (2005)
  19. Р.Т. Сибатов, В.В. Учайкин «Дробно-дифференциальный подход к описанию дисперсионного переноса в полупроводниках» УФН 179 1079–1104 (2009)
  20. Е.А. Екимов, М.В. Кондрин «Примесно-вакансионные комплексы в алмазе: перспективы синтеза и применений» УФН 187 577–598 (2017)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение