Выпуски

 / 

1971

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)
PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductorsSov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

Статьи, ссылающиеся на эту (10) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Batyrev A S, Bisengaliev R A et al Semiconductors 56 5 (2022)
  2. Umirzakov B E, Donaev S B, Mustafaeva N M Tech. Phys. 64 1506 (2019)
  3. Evdokimov I N Radiation Effects 90 259 (1985)
  4. Storp S, Holm R Journal of Electron Spectroscopy and Related Phenomena 16 183 (1979)
  5. Holm R, Storp S Appl. Phys. 12 101 (1977)
  6. Skountzos P A, Euthymiou P C 48 430 (1977)
  7. Bykov V N, Troyan V A et al Phys. Stat. Sol. (a) 32 53 (1975)
  8. Brusilovsky B A, Molchanov V A Radiation Effects 23 131 (1974)
  9. Brosious P R, Lee Y H et al Phys. Stat. Sol. (a) 25 541 (1974)
  10. Brosious P R, Corbett J W, Bourgoin J C Phys. Stat. Sol. (a) 21 677 (1974)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение