Выпуски

 / 

1971

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)
PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников
A1 Аброян,И.А.
PB Успехи физических наук
PY 1971
FD 10 May, 1971
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 104
IS 5
SP 15-50
DO 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
LK https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductorsSov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение