Выпуски

 / 

1971

 / 

Май

  

Обзоры актуальных проблем


Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698
PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников
AU Аброян, И. А.
PB Успехи физических наук
PY 1971
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 104
IS 5
SP 15-50
UR https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0104.197105b.0015

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductorsSov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение