Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников

Содержание: Введение. Исследование структурных нарушений. Изменение электрических свойств полупроводников при бомбардировке ионами. Воздействие ионной бомбардировки на оптические и некоторые другие свойства полупроводников. Заключение. Цитированная литература.

Текст pdf (2,6 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698

PACS: 61.80.Jh, 61.82.Fk, 72.80.−r, 72.20.−i, 78.55.−m, 61.72.Ji (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/
Цитата: Аброян И А "Влияние ионной бомбардировки на физические свойства полупроводников" УФН 104 15–50 (1971)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductors
A1 Abroyan,I.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1971
FD 10 May, 1971
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 104
IS 5
SP 15-50
DO 10.3367/UFNr.0104.197105b.0015
LK https://ufn.ru/ru/articles/1971/5/b/

English citation: Abroyan I A “The effect of ion bombardment on the physical properties of semiconductors” Sov. Phys. Usp. 14 242–262 (1971); DOI: 10.1070/PU1971v014n03ABEH004698