Issues

 / 

1996

 / 

August

  

Conferences and symposia


Tunnelling resonances in a single-barrier heterostructure

 a,  a,  a,  a,  a,  b,  b,  c,  c
a Institute of Problems of Microelectronic Technology, Russian Academy of Sciences, Moscow region, Chernogolovka, Russian Federation
b Department of Physics, Chalmers University of Technology, Gothenburg, Sweden
c High Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France
PACS: 71.27.+a, 73.20.Dx
DOI: 10.1070/PU1996v039n08ABEH001533
URL: https://ufn.ru/en/articles/1996/8/g/
Citation: Dubrovskii Yu V, Popov V G, Vdovin E E, Khanin Yu N, Larkin I A, Andersson T G, Tordson J, Portal J C, Maude D K "Tunnelling resonances in a single-barrier heterostructure" Phys. Usp. 39 842–842 (1996)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Оригинал: Дубровский Ю В, Попов В Г, Вдовин Е Е, Ханин Ю Н, Ларкин И А, Андерсон Т Г, Тордсон И В, Портал Дж С, Мауд Д К «Резонансы при туннелировании в гетероструктурах с одиночным барьером» УФН 166 900–900 (1996); DOI: 10.3367/UFNr.0166.199608g.0900

References (2) ↓ Similar articles (20)

  1. Fal’koV I, Meshkov S V Semicond. Sci. Technol. 6 196 (1991)
  2. Vdovin E E et al Pis’ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 61 566 (1995); Vdovin E E et al JETP Lett. 61 576 (1995)

© 1918–2020 Uspekhi Fizicheskikh Nauk
Email: ufn@ufn.ru Editorial office contacts About the journal Terms and conditions