42.55.Px Semiconductor lasers; laser diodes
-
B.B. Дюделев, Е.Д. Черотченко и др. «Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ» УФН 194 98–105 (2024)
42.55.Px, 42.60.−v, 78.67.Pt (все)
-
Ю.М. Попов «История создания инжекционного лазера» УФН 181 102–107 (2011)
01.65.+g, 42.55.Px, 42.60.−v (все)
-
В.Л. Величанский, М.А. Губин «Лазерные стандарты частоты в ФИАНе» УФН 179 1219–1224 (2009)
01.30.Bb, 06.30.Ft, 42.55.Px, 42.62.Eh (все)
-
А.А. Белянин, Д. Деппе и др. «Новые схемы полупроводниковых лазеров и освоение терагерцового диапазона» УФН 173 1015–1021 (2003)
42.55.Px, 42.60.−v (все)
-
А.А. Андронов, М.Н. Дроздов и др. «Транспорт в сверхрешетках со слабыми барьерами и проблема терагерцового блоховского генератора» УФН 173 780–783 (2003)
42.55.Px, 71.70.Ej, 73.63.−b (все)
-
В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» УФН 171 855 (2001)
42.55.Px, 68.55.+g, 85.30.Vw
-
В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» УФН 171 855–857 (2001)
42.55.Px, 68.55.+g, 85.30.Vw
-
И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» УФН 171 857–858 (2001)
42.55.Px, 85.30.Vw
-
Н.Г. Басов, П.Г. Елисеев, Ю.М. Попов «Полупроводниковые лазеры» УФН 148 35–53 (1986)
42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
-
А.И. Исаков, О.Н. Крохин и др. «Николай Геннадиевич Басов (К пятидесятилетию со дня рождения)» УФН 109 211–213 (1973)
42.50.Gy, 42.50.Ct, 52.50.Jm, 42.55.Px, 42.55.Ks (все)
-
Н.Г. Басов, В.В. Никитин, А.С. Семенов «Динамика излучения инжекционных полупроводниковых лазеров» УФН 97 561–600 (1969)
42.55.Px, 42.60.Fc, 42.60.Jf, 42.60.By, 42.60.Da (все)
|