Г.М. Гусев

Universidade de São Paulo, Instituto de Física
Адрес: São Paulo, Brazil
Телефон: +55 (11) 3814 0503
Факс: +55 (11) 3814 0503
Вебсайт: www.if.usp.br

Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН
Адрес: просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
Телефон: +7 (383) 333 27 66
Факс: +7 (383) 333 27 71
Вебсайт: www.isp.nsc.ru

Статьи

З.Д. Квон, Д.А. Козлов, Е.Б. Ольшанецкий и др. «Топологические изоляторы на основе HgTe» УФН 190 673–692 (2020)
З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Г.М. Гусев и др. «Мезоскопические флуктуации проводимости кулоновского типа в двумерном электронном газе вблизи фактора заполнения ν=1/2» УФН 168 175–178 (1998)

См. также: З.Д. Квон, Е.Б. Ольшанецкий, Н.Н. Михайлов, С.А. Дворецкий, Д.А. Козлов, Дж.С. Портал, Д.К. Мауд

PACS: 73.43.Qt, 73.63.Hs, 05.45.+b, 73.40.Gk