Cтатьи, принятые к публикации

Обзоры актуальных проблем


Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами

 а,  а,  а, б,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
б Казанский физико-технический институт им. Е.К. Завойского ФИЦ Казанский научный центр РАН, Сибирский тракт 10/7, Казань, 420029, Российская Федерация

Сверхлегирование — введение примесей в полупроводники с концентрациями, превышающими равновесную растворимость на порядки величины (до ~1020 см−3), — открывает путь к формированию примесных зон в запрещенной зоне кремния. Внедрение халькогенов (S, Se, Te) позволяет достичь высоких значений коэффициента поглощения (102—104 см−1) в инфракрасном диапазоне (1—6 мкм) за счет переходов "примесь—зона". Обзор охватывает механизмы формирования примесных состояний, методы синтеза (ионная имплантация, лазерная обработка), а также структурные, электрические и оптические свойства. Особый фокус — на применении в инфракрасных фотоприемниках, работающих при комнатной температуре, и решении проблем нестабильности (сегрегация, дефекты) через оптимизацию отжига, селективное легирование и гетероструктуры.

Ключевые слова: кремний, халькогены, легирование, ионная имплантация, импульсный лазерный отжиг, плавление, кристаллизация, глубокие уровни, примесная зона, фотоприемник
PACS: 71.55.−i
DOI: 10.3367/UFNr.2025.12.040077
Цитата: Ковалев М С, Подлесных И М, Баталов Р И, Кудряшов С И "Инфракрасная фотопроводимость кремния, легированного халькогенами" УФН, принята к публикации

Поступила: 16 сентября 2025, доработана: 16 декабря 2025, 17 декабря 2025

English citation: Kovalev M S, Podlesnykh I M, Batalov R I, Kudryashov S I “Infrared photoconductivity of chalcogen-doped siliconPhys. Usp., accepted; DOI: 10.3367/UFNe.2025.12.040077

Похожие статьи (20) ↓

  1. В.И. Кайданов, Ю.И. Равич «Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа AIVBVI» УФН 145 51–86 (1985)
  2. Б.А. Волков, Л.И. Рябова, Д.Р. Хохлов «Примеси с переменной валентностью в твердых растворах на основе теллурида свинца» УФН 172 875–906 (2002)
  3. М.Ф. Дейген, М.Д. Глинчук «Параэлектрический резонанс нецентральных ионов» УФН 114 185–211 (1974)
  4. С.А. Немов, Ю.И. Равич «Примесь таллия в халькогенидах свинца: методы исследования и особенности» УФН 168 817–842 (1998)
  5. Б.Н. Мукашев, Х.А. Абдуллин, Ю.В. Горелкинский «Метастабильные и бистабильные дефекты в кремнии» УФН 170 143–155 (2000)
  6. Ч.Б. Лущик, И.К. Витол, М.А. Эланго «Распад электронных возбуждений на радиационные дефекты в ионных кристаллах» УФН 122 223–251 (1977)
  7. А.Л. Ивановский «Магнитные эффекты в немагнитных sp-материалах, индуцированные sp-примесями и дефектами» УФН 177 1083 (2007)
  8. В.Л. Калихман, Я.С. Уманский «Халькогениды переходных металлов со слоистой структурой и особенности заполнения их бриллюэновой зоны» УФН 108 503–528 (1972)
  9. Л.М. Блинов «Лэнгмюровские пленки» УФН 155 443–480 (1988)
  10. А.А. Ликальтер «Газообразные металлы» УФН 162 (7) 119–147 (1992)
  11. А.С. Мищенко «Диаграммный метод Монте-Карло в применении к проблемам поляронов» УФН 175 925–942 (2005)
  12. Ю.С. Калашникова, А.В. Нефедьев «X(3872) в молекулярной модели» УФН 189 603–634 (2019)
  13. Е.Б. Александров «Оптические проявления интерференции невырожденных атомных состояний» УФН 107 595–622 (1972)
  14. Н.Н. Берченко, М.В. Пашковский «Теллурид ртути — полупроводник с нулевой запрещенной зоной» УФН 119 223–255 (1976)
  15. И.Д. Морохов, В.И. Петинов и др. «Структура и свойства малых металлических частиц» УФН 133 653–692 (1981)
  16. А.М. Бродский, М.И. Урбах «Влияние микроскопической структуры поверхностей металлов на их оптические свойства» УФН 138 413–453 (1982)
  17. В.А. Алексеев, В.Е. Фортов, И.Т. Якубов «Физические свойства плазмы высокого давления» УФН 139 193–222 (1983)
  18. А.В. Елецкий, Б.М. Смирнов «Фуллерены и структуры углерода» УФН 165 977–1009 (1995)
  19. Б.М. Смирнов, А.С. Яценко «Свойства димеров» УФН 166 224–245 (1996)
  20. Л.Н. Липатов «Свойства интегрируемости в квантовой хромодинамике высоких энергий при большом числе цветов» УФН 174 337–352 (2004)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение