Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты

А.В. Галеева^а, А.С. Казаков^а, Д.Р. Хохлов^†^а, б
^аМосковский государственный университет имени М.В. Ломоносова, Физический факультет, Ленинские горы 1 стр. 2, Москва, 119991, Российская Федерация
^бФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Представлен обзор возможностей, которые предоставляет исследование фотоэлектрических эффектов в 3D топологических изоляторах и ряде других топологически нетривиальных материалов при их возбуждении терагерцовым излучением. Показано, что в ряде случаев информация об электронных состояниях, полученная с помощью таких экспериментов, является уникальной.

Текст pdf (859 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610

Ключевые слова: терагерцовое излучение, фотоэлектрические эффекты, фотогальванический эффект, фотоэлектромагнитный эффект, фотопроводимость
PACS: 72.40.+w, 78.20.−e, 78.56.−a (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2023.12.039610
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2024/10/b/
Цитата: Галеева А В, Казаков А С, Хохлов Д Р "Терагерцовое зондирование топологических изоляторов: фотоэлектрические эффекты" УФН 194 1046–1058 (2024)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 16 октября 2023, доработана: 20 ноября 2023, одобрена в печать: 2 декабря 2023

English citation: Galeeva A V, Kazakov A S, Khokhlov D R “Terahertz probing of topological insulators: photoelectric effects” Phys. Usp. 67 988–999 (2024); DOI: 10.3367/UFNe.2023.12.039610