Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твердого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трехмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. В данной работе представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объемных электронных состояний в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.

Ключевые слова: топологические изоляторы, краевые и поверхностные состояния, фотогальванические эффекты PACS: 72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все) DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038351 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/ 000454141800007 2018PhyU...61.1026T Цитата: Тарасенко С А "Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты" УФН 188 1129–1134 (2018) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects A1 Tarasenko,S.A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2018 FD 10 Oct, 2018 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 188 IS 10 SP 1129-1134 DO 10.3367/UFNr.2017.11.038351 LK https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/ Поступила: 16 апреля 2018, одобрена в печать: 29 ноября 2017 English citation: Tarasenko S A “Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects” Phys. Usp. 61 1026–1030 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351