Внесение идей топологии и топологических переходов в физику твердого тела привело к теоретическому предсказанию и последующему экспериментальному открытию топологических изоляторов — нового класса диэлектрических трехмерных или квазидвумерных кристаллических систем, имеющих устойчивые проводящие поверхностные состояния. В данной работе представлен краткий обзор электронных свойств топологических изоляторов. Более подробно описана структура краевых и объемных электронных состояний в двумерных и трехмерных топологических изоляторах на основе соединения HgTe. Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования взаимодействия электромагнитного поля с топологическими изоляторами, краевых и поверхностных фотогальванических эффектов.

Ключевые слова: топологические изоляторы, краевые и поверхностные состояния, фотогальванические эффекты PACS: 72.25.Dc, 73.20.−r, 73.40.−c, 73.50.Pz (все) DOI: 10.3367/UFNr.2017.11.038351 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/ 000454141800007 2018PhyU...61.1026T Цитата: Тарасенко С А "Электронные свойства топологических изоляторов. Структура краевых состояний и фотогальванические эффекты" УФН 188 1129–1134 (2018) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects AU Tarasenko, S. A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2018 JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JA Usp. Fiz. Nauk VL 188 IS 10 SP 1129-1134 UR https://ufn.ru/ru/articles/2018/10/i/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.2017.11.038351 Поступила: 16 апреля 2018, одобрена в печать: 29 ноября 2017 English citation: Tarasenko S A “Electron properties of topological insulators. The structure of edge states and photogalvanic effects” Phys. Usp. 61 1026–1030 (2018); DOI: 10.3367/UFNe.2017.11.038351