Выпуски

 / 

2017

 / 

Сентябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Горячие электроны в оксиде кремния

 а, б, в
а Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б Новосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
в Новосибирский государственный технический университет, просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация

Аморфный оксид кремния SiO2 является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле SiO2 превышает 107 В/см. В сильных электрических полях в SiO2 разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях (104 — 106 В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >106 В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Текст pdf (355 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008
Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
000417704200003
2-s2.0-85040973769
2017PhyU...60..902G
Цитата: Гриценко В А "Горячие электроны в оксиде кремния" УФН 187 971–979 (2017)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Hot electrons in silicon oxide
A1 Gritsenko,V.A.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2017
FD 10 Sep, 2017
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 187
IS 9
SP 971-979
DO 10.3367/UFNr.2016.12.038008
LK https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/

Поступила: 2 сентября 2016, доработана: 7 декабря 2016, 8 декабря 2016

English citation: Gritsenko V A “Hot electrons in silicon oxidePhys. Usp. 60 902–910 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение