Горячие электроны в оксиде кремния

В.А. Гриценко^а, б, в
^аИнститут физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН, просп. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бНовосибирский государственный университет, Академгородок, ул. Пирогова 2, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^вНовосибирский государственный технический университет, просп. Карла Маркса 20, Новосибирск, 630092, Российская Федерация

Аморфный оксид кремния SiO₂ является ключевым диэлектриком в технологии и конструкции кремниевых приборов. Оксид кремния используется, в частности, в качестве туннельного диэлектрика в приборах флэш-памяти. Пробивное поле SiO₂ превышает 10⁷ В/см. В сильных электрических полях в SiO₂ разыгрываются явления, которые не наблюдаются в кристаллических полупроводниках. В относительно слабых электрических полях (10⁴ — 10⁶ В/см) функция распределения электронов определяется рассеянием электронов на продольных оптических фононах. В полях >10⁶ В/cм функция распределения определяется рассеянием электронов на акустических фононах.

Текст pdf (355 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008

Ключевые слова: оксид кремния, горячие электроны, рассеяние, оптические фононы
PACS: 72.20.Ht, 72.20.Jv, 72.80.Sk, 73.40.Sx (все)
DOI: 10.3367/UFNr.2016.12.038008
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2017/9/c/
Web of Science

000417704200003
Scopus

2-s2.0-85040973769
ADS NASA

2017PhyU...60..902G
Цитата: Гриценко В А "Горячие электроны в оксиде кремния" УФН 187 971–979 (2017)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Поступила: 2 сентября 2016, доработана: 7 декабря 2016, одобрена в печать: 8 декабря 2016

English citation: Gritsenko V A “Hot electrons in silicon oxide” Phys. Usp. 60 902–910 (2017); DOI: 10.3367/UFNe.2016.12.038008