Представлено современное состояние неразрушающих исследований полупроводниковых структур с квантовыми точками (КТ) в рамках метода высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии. С позиций формализма статистической теории дифракции рассмотрено когерентное и диффузное рассеяние рентгеновских лучей в кристаллических системах с нановключениями. Продемонстрировано влияние формы, упругих деформаций, латеральной и вертикальной корреляции КТ на угловое распределение диффузного рассеяния вблизи узла обратной решётки. На примере короткопериодных и многокомпонентных сверхрешёток с КТ показана эффективность модельного подхода для количественного анализа наноструктурированных материалов с использованием экспериментальных данных.

Ключевые слова: высокоразрешающая рентгеновская дифракция, когерентное и диффузное рассеяние, сверхрешётка, квантовые точки PACS: 61.05.C−, 68.65.−k (все) DOI: 10.3367/UFNr.0185.201505a.0449 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2015/5/a/ 000360073200001 2-s2.0-84938884127 2015PhyU...58..419P Цитата: Пунегов В И "Высокоразрешающая рентгеновская дифракция в кристаллических структурах с квантовыми точками" УФН 185 449–478 (2015) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Поступила: 9 января 2015, доработана: 8 февраля 2015, одобрена в печать: 10 февраля 2015 English citation: Punegov V I “High-resolution X-ray diffraction in crystalline structures with quantum dots” Phys. Usp. 58 419–445 (2015); DOI: 10.3367/UFNe.0185.201505a.0449