Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si(001) при низких температурах в процессе сверхвысоковакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что два основных вида hut-кластеров германия — пирамидальные и клиновидные — имеют разное атомное строение. Сделан вывод о том, что структурные переходы между пирамидальной и клиновидной формами кластеров невозможны. Впервые выявлены и исследованы производные виды кластеров — обелиски (или усечённые клинья) и сросшиеся клиновидные кластеры; установлено, что эти виды кластеров начинают доминировать в массивах при высокой степени покрытия. Показано, что однородность массивов определяется разбросом длин клиновидных кластеров. При низких температурах роста (360 °C) зарождение новых кластеров наблюдается в процессе роста массива при любой степени покрытия атомами Ge, кроме выделенной точки, в которой массивы более однородны, чем при бóльших и меньших значениях степени покрытия. При более высоких температурах (530 °C) после начальной стадии формирования массива зарождение кластеров не наблюдалось.

PACS: 68.37.Ef, 81.07.Ta, 81.15.Hi (все) DOI: 10.3367/UFNr.0180.201003e.0289 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/3/e/ 000280435100004 2-s2.0-77954773542 2010PhyU...53..279A Цитата: Арапкина Л В, Юрьев В А "Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах" УФН 180 289–302 (2010) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Classification of Ge hut clusters in arrays formed by molecular beam epitaxy at low temperatures on the Si(001) surface A1 Arapkina,L.V. A1 Yuryev,V.A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2010 FD 10 Mar, 2010 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 180 IS 3 SP 289-302 DO 10.3367/UFNr.0180.201003e.0289 LK https://ufn.ru/ru/articles/2010/3/e/ English citation: Arapkina L V, Yuryev V A “Classification of Ge hut clusters in arrays formed by molecular beam epitaxy at low temperatures on the Si(001) surface” Phys. Usp. 53 279–290 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201003e.0289