RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2010

 / 

Март

←  →

Приборы и методы исследований


Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах

,
Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация

Методом сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) in situ выполнено морфологическое исследование и проведена классификация hut-кластеров Ge, образующих массивы квантовых точек на поверхности Si(001) при низких температурах в процессе сверхвысоковакуумной молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено, что два основных вида hut-кластеров германия — пирамидальные и клиновидные — имеют разное атомное строение. Сделан вывод о том, что структурные переходы между пирамидальной и клиновидной формами кластеров невозможны. Впервые выявлены и исследованы производные виды кластеров — обелиски (или усечённые клинья) и сросшиеся клиновидные кластеры; установлено, что эти виды кластеров начинают доминировать в массивах при высокой степени покрытия. Показано, что однородность массивов определяется разбросом длин клиновидных кластеров. При низких температурах роста (360 °C) зарождение новых кластеров наблюдается в процессе роста массива при любой степени покрытия атомами Ge, кроме выделенной точки, в которой массивы более однородны, чем при бóльших и меньших значениях степени покрытия. При более высоких температурах (530 °C) после начальной стадии формирования массива зарождение кластеров не наблюдалось.

Текст pdf (1,8 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201003e.0289
PACS: 68.37.Ef, 81.07.Ta, 81.15.Hi (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201003e.0289
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/3/e/
000280435100004
2-s2.0-77954773542
2010PhyU...53..279A
Цитата: Арапкина Л В, Юрьев В А "Классификация hut-кластеров Ge в массивах, формируемых на поверхности Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низких температурах" УФН 180 289–302 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Arapkina L V, Yuryev V A “Classification of Ge hut clusters in arrays formed by molecular beam epitaxy at low temperatures on the Si(001) surface” Phys. Usp. 53 279–290 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201003e.0289

Список литературы (54) Статьи, ссылающиеся на эту (33) ↓ Похожие статьи (1)

  1. Kukenov O I, Dirko V V et al J. Opt. Technol. 91 416 (2024)
  2. Sayari A, Servatkhah M, Pourmand R Opt Quant Electron 55 (1) (2023)
  3. Arapkina L V, Chizh K V et al Applied Surface Science 608 155094 (2023)
  4. Arapkina L V, Chizh K V et al SSRN Journal (2022)
  5. Storozhevykh M S, Arapkina L V et al J Raman Spectroscopy 53 853 (2022)
  6. Storozhevykh M S, Arapkina L V et al Semicond. Sci. Technol. 35 045012 (2020)
  7. Lozovoy K, Kokhanenko A, Voitsekhovskii A Nanotechnology 29 054002 (2018)
  8. van Bremen R, Bampoulis P et al 124 (12) (2018)
  9. (Nanotechnology VIII) Vol. Nanotechnology VIIISilicon-germanium and platinum silicide nanostructures for silicon based photonicsIon M.TiginyanuM. S.StorozhevykhV. P.DubkovL. V.ArapkinaK. V.ChizhS. A.MironovV. A.ChapninV. A.Yuryev10248 (2017) p. 102480O
  10. Storozhevykh M S, Arapkina L V, Yuryev V A J. Phys.: Conf. Ser. 690 012013 (2016)
  11. Lozovoy K A, Pishchagin A A et al J. Phys.: Conf. Ser. 741 012019 (2016)
  12. Storozhevykh M S, Arapkina L V, Yuryev V A Nanoscale Res Lett 10 (1) (2015)
  13. Lozovoy K, Voytsekhovskiy A et al 22 (3) (2014)
  14. Lozovoy K A, Voytsekhovskiy A V et al Surface Science 619 1 (2014)
  15. Lozovoy K A, Kokhanenko A P, Voitsekhovskiy A V J. Phys.: Conf. Ser. 541 012084 (2014)
  16. Voitsekhovskii A V, Kokhanenko A P, Lozovoy K A Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 78 1058 (2014)
  17. Prokhorov A S, Zhukova E S et al Radiophys Quantum El 56 620 (2014)
  18. Kuryliuk V V Ukr. J. Phys. 58 780 (2013)
  19. Kaniewska M, Engström O et al Solid-State Electronics 83 99 (2013)
  20. Roddatis V V, Yakunin S N et al J. Mater. Res. 28 1432 (2013)
  21. Arapkina L V, Yuryev V A Journal of Applied Physics 114 104304 (2013)
  22. Arapkina L V, Yuryev V A 111 (9) (2012)
  23. Arapkina L V, Krylova L A et al 112 (1) (2012)
  24. Yuryev V A, Arapkina L V et al Nanoscale Res Lett 7 (1) (2012)
  25. Arapkina L V, Yuryev V A et al Nanoscale Res Lett 6 (1) (2011)
  26. Talochkin A B, Chistokhin I B J. Exp. Theor. Phys. 113 510 (2011)
  27. Yuryev V A, Arapkina L V Nanoscale Res Lett 6 (1) (2011)
  28. Arapkina L V, Yuryev V A 109 (10) (2011)
  29. Arapkina L V, Yuryev V A Nanoscale Res Lett 6 (1) (2011)
  30. Arapkina L V, Yuryev V A et al Jetp Lett. 92 310 (2010)
  31. Arapkina L V, Yuryev V A Jetp Lett. 91 281 (2010)
  32. Arapkina L V, Yuryev V A Phys. Rev. B 82 (4) (2010)
  33. Zhukova E S, Gorshunov B P et al Jetp Lett. 92 793 (2010)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение