Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

, , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 36.40.Gk, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
Цитата: Шубина Т В, Иванов С В, Торопов А А, Копьев П С "Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N" УФН 179 1007–1012 (2009)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N
A1 Шубина,Т.В.
A1 Иванов,С.В.
A1 Торопов,А.А.
A1 Копьев,П.С.
PB Успехи физических наук
PY 2009
FD 10 Sep, 2009
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 179
IS 9
SP 1007-1012
DO 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
LK https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/

English citation: Shubina T V, Ivanov S V, Toropov A A, Kop’ev P S “Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructuresPhys. Usp. 52 949–953 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение