Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

, , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 36.40.Gk, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
Цитата: Шубина Т В, Иванов С В, Торопов А А, Копьев П С "Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N" УФН 179 1007–1012 (2009)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Shubina:2009,
	author = {Т. В. Шубина and С. В. Иванов and А. А. Торопов and П. С. Копьев},
	title = {Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2009},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {179},
	number = {9},
	pages = {1007-1012},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/},
	doi = {10.3367/UFNr.0179.200909i.1007}
}

English citation: Shubina T V, Ivanov S V, Toropov A A, Kop’ev P S “Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructuresPhys. Usp. 52 949–953 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение