Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

, , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.).

Текст pdf (905 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007
PACS: 36.40.Gk, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
000274047000007
2-s2.0-76349099841
2009PhyU...52..949S
Цитата: Шубина Т В, Иванов С В, Торопов А А, Копьев П С "Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N" УФН 179 1007–1012 (2009)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N
AU Шубина, Т. В.
AU Иванов, С. В.
AU Торопов, А. А.
AU Копьев, П. С.
PB Успехи физических наук
PY 2009
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 179
IS 9
SP 1007-1012
UR https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0179.200909i.1007

English citation: Shubina T V, Ivanov S V, Toropov A A, Kop’ev P S “Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructuresPhys. Usp. 52 949–953 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение