Выпуски

 / 

2009

 / 

Сентябрь

  

Конференции и симпозиумы


Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N

, , ,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Наноплазмоника и метаматериалы (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 27 апреля 2009 г.).

Текст pdf (905 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007
PACS: 36.40.Gk, 73.20.Mf, 78.67.−n (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0179.200909i.1007
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
000274047000007
2-s2.0-76349099841
2009PhyU...52..949S
Цитата: Шубина Т В, Иванов С В, Торопов А А, Копьев П С "Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N" УФН 179 1007–1012 (2009)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Плазмонные эффекты в наноструктурах на основе In(Ga)N
%A Т. В. Шубина
%A С. В. Иванов
%A А. А. Торопов
%A П. С. Копьев
%I Успехи физических наук
%D 2009
%J Усп. физ. наук
%V 179
%N 9
%P 1007-1012
%U https://ufn.ru/ru/articles/2009/9/i/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0179.200909i.1007

English citation: Shubina T V, Ivanov S V, Toropov A A, Kop’ev P S “Plasmon effects in In(Ga)N-based nanostructuresPhys. Usp. 52 949–953 (2009); DOI: 10.3367/UFNe.0179.200909i.1007

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение