Аморфные пленки окcида SiO₂ и нитрида Si₃N₄ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO₂, Si₃N₄ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiO_xN_y, SiN_x, SiO_x. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все) DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/ 000260580700003 2-s2.0-55749101208 2008PhyU...51..699G Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitrides A1 Gritsenko,V.A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2008 FD 10 Jul, 2008 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 178 IS 7 SP 727-737 DO 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727 LK https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/ English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitrides” Phys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592