Аморфные пленки окcида SiO₂ и нитрида Si₃N₄ кремния являются двумя ключевыми диэлектриками в современных кремниевых приборах. В настоящее время кроме технологии получения стехиометрических пленок SiO₂, Si₃N₄ разрабатывается технология создания нестехиометрических нитридов и оксидов кремния SiO_xN_y, SiN_x, SiO_x. Изменение химического состава этих соединений позволяет в широком диапазоне управлять их физическими (оптическими и электрическими) свойствами. Разработка технологии синтеза таких пленок требует детального понимания их атомной структуры. В обзоре систематизированы и обобщены современные представления об атомном строении нестехиометрических нитридов и оксидов кремния.

PACS: 33.60.Fy, 61.43.−j, 61.66.Fn, 68.35.Dv, 71.55.Jv (все) DOI: 10.3367/UFNr.0178.200807c.0727 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/7/c/ 000260580700003 2-s2.0-55749101208 2008PhyU...51..699G Цитата: Гриценко В А "Атомная структура аморфных нестехиометрических оксидов и нитридов кремния" УФН 178 727–737 (2008) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Gritsenko V A “Atomic structure of the amorphous nonstoichiometric silicon oxides and nitrides” Phys. Usp. 51 699–708 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n07ABEH006592