Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния

А.А. Шкляев^а, б, М. Ичикава^б
^аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бQuantum-Phase Electronics Center, Department of Applied Physics, The University of Tokyo and Japan Science and Technology Agency, CREST, 7-3-1 Hongo, Tokyo, 113-8656, Japan

В обзоре анализируются результаты исследования поверхностных процессов образования наноструктур германия и кремния. Рассмотрены закономерности зарождения трехмерных островков и релаксации напряженного двумерного слоя при гетероэпитаксии германия на кремнии, которые вызывают самопроизвольный рост островков. Окисление поверхности кремния перед осаждением германия или кремния кардинально изменяет механизм роста и приводит к созданию островков с предельно высокой плотностью 10¹²-10¹³ и размерами менее 10 нм. Их свойства определяются эффектами пространственного квантования. Массивы этих островков, в свою очередь, образуют уникальную поверхность для роста на ней слоев кремния, способных излучать фотоны с длиной волны 1,5-1,6 мкм.

Текст pdf (4,9 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2008v051n02ABEH006344

PACS: 78.55.Ap, 81.07.−b, 81.16.−c (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0178.200802b.0139
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2008/2/b/
Web of Science

000256729400002
Scopus

2-s2.0-45149130684
ADS NASA

2008PhyU...51..133S
Цитата: Шкляев А А, Ичикава М "Предельно плотные массивы наноструктур германия и кремния" УФН 178 139–169 (2008)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Shklyaev A A, Ichikawa M “Extremely dense arrays of germanium and silicon nanostructures” Phys. Usp. 51 133–161 (2008); DOI: 10.1070/PU2008v051n02ABEH006344