Выпуски

 / 

2007

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Описывается современное состояние исследований структуры и свойств краевых состояний, возникающих в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла. Последовательное изложение результатов для этих двух режимов позволяет выделить эффекты, обусловленные электрон-электронным взаимодействием. Намечены также наиболее важные направления дальнейших исследований.

Текст pdf (492 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244
PACS: 73.43.−f, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0177.200702d.0207
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2007/2/d/
000247098500004
2-s2.0-34250374452
2007PhyU...50..197D
Цитата: Девятов Э В "Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла" УФН 177 207–229 (2007)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Devyatov E V “Edge states in the regimes of integer and fractional quantum Hall effectsPhys. Usp. 50 197–218 (2007); DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244

Список литературы (70) Статьи, ссылающиеся на эту (28) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Avakyants A A, Orlova N N et al Jetp Lett. 119 625 (2024)
  2. Elmurotova D B, Mussayeva M A et al 2023 International Conference on Sustainable Emerging Innovations in Engineering and Technology (ICSEIET), (2023) p. 592
  3. Dorozhkin S I J. Exp. Theor. Phys. 134 650 (2022)
  4. Shvetsov O O, Esin V D et al Phys. Rev. B 101 (3) (2020)
  5. Asasi H, Mulligan M Phys. Rev. B 102 (20) (2020)
  6. Vedeneev S I Успехи физических наук 187 411 (2017) [Vedeneev S I Phys.-Usp. 60 385 (2017)]
  7. Bagraev N T, Grigoryev V Yu et al 43 110 (2017)
  8. Shikin V, Nazin S 43 120 (2017)
  9. Shikin V 42 17 (2016)
  10. Kononov A A, Deviatov E V Jetp Lett. 104 811 (2016)
  11. Bagraev N T, Grigoryev V Yu et al Semiconductors 50 1025 (2016)
  12. Baer S, Ensslin K Springer Series in Solid-State Sciences Vol. Transport Spectroscopy of Confined Fractional Quantum Hall SystemsPhysics at the Edge183 Chapter 4 (2015) p. 47
  13. Danilovskii E Yu, Bagraev N T Semiconductors 48 1636 (2014)
  14. Dolgopolov V T Успехи физических наук 783 (2014)
  15. Dolgopolov V T Успехи физических наук 184 113 (2014) [Dolgopolov V T Phys.-Usp. 57 105 (2014)]
  16. Dolgopolov V T Успехи физических наук 184 113 (2014) [Dolgopolov V T Phys.-Usp. 57 721 (2014)]
  17. Dietrich S, Byrnes S et al 113 (5) (2013)
  18. Devyatov E V 39 7 (2013)
  19. Dressel J, Choi Y, Jordan A N Phys. Rev. B 85 (4) (2012)
  20. Kononov A, Biasiol G et al Phys. Rev. B 86 (12) (2012)
  21. Lesovik G B, Sadovskyy I A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 181 1041 (2011) [Lesovik G B, Sadovskyy I A Phys.-Usp. 54 1007 (2011)]
  22. Vasilyev Yu B Tech. Phys. Lett. 35 633 (2009)
  23. Litvin L V, Helzel A et al Phys. Rev. B 78 (7) (2008)
  24. Sherman A V Solid State Communications 39 273 (1981)
  25. Struck C W, Fonger W H Journal of Luminescence 18-19 101 (1979)
  26. Fonger W H, Struck C W Journal of Luminescence 17 241 (1978)
  27. Struck C W, Fonger W H Journal of Luminescence 10 1 (1975)
  28. Ermolovich I B, Matvievskaja G I, Sheinkman M K Journal of Luminescence 10 58 (1975)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение