RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 3, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2007

 / 

Февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Описывается современное состояние исследований структуры и свойств краевых состояний, возникающих в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла. Последовательное изложение результатов для этих двух режимов позволяет выделить эффекты, обусловленные электрон-электронным взаимодействием. Намечены также наиболее важные направления дальнейших исследований.

Текст pdf (492 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244
PACS: 73.43.−f, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0177.200702d.0207
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2007/2/d/
000247098500004
2-s2.0-34250374452
2007PhyU...50..197D
Цитата: Девятов Э В "Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла" УФН 177 207–229 (2007)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Deviatov E V “Edge states in the regimes of integer and fractional quantum Hall effects” Phys. Usp. 50 197–218 (2007); DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244

Список литературы (70) Статьи, ссылающиеся на эту (29) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Eroshenko Yu N Успехи физических наук 196 (02) 219 (2026)
  2. Avakyants A A, Orlova N N et al Jetp Lett. 119 (8) 625 (2024)
  3. Elmurotova D B, Mussayeva M A et al 2023 International Conference on Sustainable Emerging Innovations in Engineering and Technology (ICSEIET), (2023) p. 592
  4. Dorozhkin S I J. Exp. Theor. Phys. 134 (5) 650 (2022)
  5. Shvetsov O O, Esin V D et al Phys. Rev. B 101 (3) (2020)
  6. Asasi H, Mulligan M Phys. Rev. B 102 (20) (2020)
  7. Vedeneev S I Успехи физических наук 187 (04) 411 (2017) [Vedeneev S I Phys.-Usp. 60 (4) 385 (2017)]
  8. Bagraev N T, Grigoryev V Yu et al Low Temperature Physics 43 (1) 110 (2017)
  9. Shikin V, Nazin S Low Temperature Physics 43 (1) 120 (2017)
  10. Shikin V Low Temperature Physics 42 (1) 17 (2016)
  11. Kononov A A, Deviatov E V Jetp Lett. 104 (11) 811 (2016)
  12. Bagraev N T, Grigoryev V Yu et al Semiconductors 50 (8) 1025 (2016)
  13. Baer S, Ensslin K Springer Series in Solid-State Sciences Vol. Transport Spectroscopy of Confined Fractional Quantum Hall SystemsPhysics at the Edge183 Chapter 4 (2015) p. 47
  14. Danilovskii E Yu, Bagraev N T Semiconductors 48 (12) 1636 (2014)
  15. Dolgopolov V T Успехи физических наук 783 (2014)
  16. Dolgopolov V T Успехи физических наук 184 (2) 113 (2014) [Dolgopolov V T Phys.-Usp. 57 (2) 105 (2014)]
  17. Dolgopolov V T Phys.-Usp. 57 (7) 721 (2014)
  18. Dietrich S, Byrnes S et al Journal of Applied Physics 113 (5) (2013)
  19. Devyatov E V Low Temperature Physics 39 (1) 7 (2013)
  20. Dressel J, Choi Y, Jordan A N Phys. Rev. B 85 (4) (2012)
  21. Kononov A, Biasiol G et al Phys. Rev. B 86 (12) (2012)
  22. Lesovik G B, Sadovskyy I A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 181 (10) 1041 (2011) [Lesovik G B, Sadovskyy I A Phys.-Usp. 54 (10) 1007 (2011)]
  23. Vasilyev Yu B Tech. Phys. Lett. 35 (7) 633 (2009)
  24. Litvin L V, Helzel A et al Phys. Rev. B 78 (7) (2008)
  25. Sherman A V Solid State Communications 39 (2) 273 (1981)
  26. Struck C W, Fonger W H Journal of Luminescence 18-19 101 (1979)
  27. Fonger W H, Struck C W Journal of Luminescence 17 (3) 241 (1978)
  28. Struck C W, Fonger W H Journal of Luminescence 10 (1) 1 (1975)
  29. Ermolovich I B, Matvievskaja G I, Sheinkman M K Journal of Luminescence 10 (1) 58 (1975)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение