RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2007

 / 

февраль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла


Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Описывается современное состояние исследований структуры и свойств краевых состояний, возникающих в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла. Последовательное изложение результатов для этих двух режимов позволяет выделить эффекты, обусловленные электрон-электронным взаимодействием. Намечены также наиболее важные направления дальнейших исследований.

Текст pdf (492 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244
PACS: 73.43.−f, 73.43.Fj (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0177.200702d.0207
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2007/2/d/
000247098500004
2-s2.0-34250374452
2007PhyU...50..197D
Цитата: Девятов Э В "Краевые состояния в режимах целочисленного и дробного квантовых эффектов Холла" УФН 177 207–229 (2007)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Deviatov E V “Edge states in the regimes of integer and fractional quantum Hall effects” Phys. Usp. 50 197–218 (2007); DOI: 10.1070/PU2007v050n02ABEH006244

Список литературы (70) Статьи, ссылающиеся на эту (31) Похожие статьи (20) ↓

  1. В.Т. Долгополов «Целочисленный квантовый эффект Холла и сопряжённые с ним явления» УФН 184 113–136 (2014)
  2. А.А. Шашкин «Переходы металл – диэлектрик и эффекты электрон-электронного взаимодействия в двумерных электронных системах» УФН 175 139–161 (2005)
  3. Г.Б. Лесовик, И.А. Садовский «Описание квантового электронного транспорта с помощью матриц рассеяния» УФН 181 1041–1096 (2011)
  4. А.П. Протогенов «Анионная сверхпроводимость в сильно коррелированных спиновых системах» УФН 162 (7) 1–80 (1992)
  5. И.В. Криве, А.С. Рожавский «Дробный заряд в квантовой теории поля и физике твердого тела» УФН 152 33–74 (1987)
  6. Л.В. Кулик, В.Е. Кирпичев «Спектроскопия неупругого рассеяния света электронных систем в одиночных и двойных квантовых ямах» УФН 176 365–382 (2006)
  7. С.И. Веденеев «Квантовые осцилляции в трёхмерных топологических изоляторах» УФН 187 411–429 (2017)
  8. И.В. Кукушкин, В.Б. Тимофеев «Магнитооптика двумерных электронов в ультраквантовом пределе: несжимаемые квантовые жидкости и вигнеровский кристалл» УФН 163 (7) 1–28 (1993)
  9. Е.Л. Шангина, В.Т. Долгополов «Квантовые фазовые переходы в двумерных системах» УФН 173 801–812 (2003)
  10. Л.А. Чернозатонский, А.А. Артюх «Квазидвумерные дихалькогениды переходных металлов: структура, синтез, свойства и применение» УФН 188 3–30 (2018)
  11. В.М. Муравьев, И.В. Кукушкин «Коллективные плазменные возбуждения в двумерных электронных системах» УФН 190 1041–1061 (2020)
  12. А.В. Елецкий, И.М. Искандарова и др. «Графен: методы получения и теплофизические свойства» УФН 181 233–268 (2011)
  13. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  14. В.М. Пудалов «Измерение магнитных свойств электронов проводимости» УФН 191 3–29 (2021)
  15. А.Н. Лачинов, Н.В. Воробьева «Электроника тонких слоев широкозонных полимеров» УФН 176 1249–1266 (2006)
  16. В.Е. Бисти, А.Б. Ваньков и др. «Магнитоэкситоны в двумерных электронных системах» УФН 185 337–352 (2015)
  17. М.В. Дурнев, М.М. Глазов «Экситоны и трионы в двумерных полупроводниках на основе дихалькогенидов переходных металлов» УФН 188 913–934 (2018)
  18. А.Г. Сыромятников, С.В. Колесников и др. «Формирование и свойства металлических атомных цепочек и проводов» УФН 191 705–737 (2021)
  19. И.В. Кукушкин, С.В. Мешков, В.Б. Тимофеев «Плотность состояний двумерных электронов в поперечном магнитном поле» УФН 155 219–264 (1988)
  20. Г.В. Шпатаковская «Квазиклассическая модель строения вещества» УФН 182 457–494 (2012)

Список формируется автоматически.
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение