RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2005

 / 

Июнь

←  →

Методические заметки


Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Представлен взгляд на гибридную структуру ферромагнетик-полупроводник как на единую перестраиваемую систему. На основе анализа существующих экспериментов показано, что, вопреки «здравому смыслу», немагнитный полупроводник способен играть важную роль в управлении ферромагнетизмом. При посредстве полупроводника магнитные свойства гибрида (петлю гистерезиса и ориентацию намагниченности в пространстве) можно перестраивать оптически и электрически. В результате гибридную систему можно рассматривать как элементарную ячейку памяти с электронной записью и считыванием.

Текст pdf (208 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200
PACS: 72.25.Pn, 78.67.−n, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200506d.0629
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
000232636600004
2005PhyU...48..603Z
Цитата: Захарченя Б П, Коренев В Л "Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику" УФН 175 629–635 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Zakharchenya B P, Korenev V L “Integrating magnetism into semiconductor electronics” Phys. Usp. 48 603–608 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200

Список литературы (35) Статьи, ссылающиеся на эту (81) ↓ Похожие статьи (4)

  1. Maslova N S, Mantsevich V N et al Phys. Rev. E 110 (4) (2024)
  2. Zaitsev S V, Dremov V V, Stolyarov V S Semiconductors 58 77 (2024)
  3. Zaitsev S  V Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 88 208 (2024)
  4. Zaytsev S V Izvestiâ Akademii nauk SSSR. Seriâ fizičeskaâ 88 236 (2024)
  5. Yang H, Zhang H et al Nano Lett. 24 10519 (2024)
  6. Sharma H K, Kalla M, Chatterjee A Sci Rep 14 (1) (2024)
  7. Zaitsev S V Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 87 182 (2023)
  8. Rozhansky I V, Mantsevich V N et al Journal of Magnetism and Magnetic Materials 565 170303 (2023)
  9. Mantsevich V N, Rozhansky I V et al Journal of Magnetism and Magnetic Materials 587 171357 (2023)
  10. Zaitsev S V Izvestiâ Akademii nauk SSSR. Seriâ fizičeskaâ 87 213 (2023)
  11. Kalitukha I V, Yalcin E et al 159 (1) (2023)
  12. Morozova M A, Matveev O V et al 123 (20) (2023)
  13. Pervishko A A, Yudin D I Успехи физических наук 192 233 (2022) [Pervishko A A, Yudin D I Phys.-Usp. 65 215 (2022)]
  14. Khludkov S S, Prudaev I A et al Russ Phys J 65 909 (2022)
  15. Zaitsev S V, Dremov V V, Stolyarov V S Jetp Lett. 116 232 (2022)
  16. Zaitsev S Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 86 443 (2022)
  17. Rozhansky I V, Mantsevich V N et al Physica E: Low-dimensional Systems and Nanostructures 132 114755 (2021)
  18. Khludkov S S, Prudaev I A et al Russ Phys J 63 2013 (2021)
  19. Kosyrev N N, Yakovchuk V Yu et al Tech. Phys. Lett. 47 107 (2021)
  20. Harder M, Yao B M et al 129 (20) (2021)
  21. Dorokhin M V, Demina P B et al Tech. Phys. Lett. 46 87 (2020)
  22. Rozhansky I V, Mantsevich V N et al Phys. Rev. B 101 (4) (2020)
  23. Mantsevich V N, Rozhansky I V et al Phys. Rev. B 99 (11) (2019)
  24. Patrin G S, Yakovchuk V Yu et al Tech. Phys. Lett. 45 507 (2019)
  25. Baranov P G, Kalashnikova A M et al Phys.-Usp. 62 795 (2019)
  26. Sadovnikov A V, Beginin E N et al Phys. Rev. B 99 (5) (2019)
  27. Korenev V L, Kalitukha I V et al Nat Commun 10 (1) (2019)
  28. Shakil M, Hussain A et al Chinese Journal of Physics 56 1570 (2018)
  29. Khludkov S S, Prudaev I A, Tolbanov O P Semiconductor Nanotechnology Nanostructure Science and Technology Chapter 5 (2018) p. 117
  30. Seyler K L, Zhong D et al Nano Lett. 18 3823 (2018)
  31. Grygorchak I I, Hryhorchak O I, Ivashchyshyn F O Ukr. J. Phys. 62 625 (2017)
  32. Akimov I A, Salewski M et al Phys. Rev. B 96 (18) (2017)
  33. Zaitsev S V, Akimov I A et al J. Exp. Theor. Phys. 123 420 (2016)
  34. Korenev V L, Salewski M et al Nature Phys 12 85 (2016)
  35. Gyrdasova O I, Krasil’nikov V N et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 80 1298 (2016)
  36. Tovstyuk N K, Sheregiy Y M Acta Phys. Pol. A 128 224 (2015)
  37. Abdullaev N A, Aliguliyeva Kh V et al Semiconductors 49 428 (2015)
  38. Tovstyuk N K, Sheregiy Y M Acta Phys. Pol. A 128 225 (2015)
  39. Dorokhin M V, Danilov Yu A et al 107 (4) (2015)
  40. Patrin G, Turpanov I et al SSP 233-234 423 (2015)
  41. Shipilin M A, Zakharova I N et al J. Synch. Investig. 8 557 (2014)
  42. Vikhrova O V, Dorokhin M V et al Tech. Phys. Lett. 40 930 (2014)
  43. Akimov I  A, Korenev V L et al Physica Status Solidi (b) 251 1663 (2014)
  44. Korenev V L 104 (9) (2014)
  45. Boledzyuk V B, Kovalyuk Z D et al Tech. Phys. 59 1462 (2014)
  46. Smirnova M N, Geras’kin A A et al Russ. J. Inorg. Chem. 59 778 (2014)
  47. Patrin G S, Turpanov I A et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 78 26 (2014)
  48. Patrin G S, Turpanov I A et al SSP 215 348 (2014)
  49. Boledzyuk V B, Kovalyuk Z D et al Inorg Mater 50 976 (2014)
  50. Khludkov S S, Prudaev I A, Тоlbanov О P Russ Phys J 55 903 (2013)
  51. Tikhov S V, Karpovich I A, Testov V G J. Synch. Investig. 7 27 (2013)
  52. Trukhanov A V, Stognij A I et al Crystallogr. Rep. 58 498 (2013)
  53. Korenev V L, Akimov I A et al Nat Commun 3 (1) (2012)
  54. Stakhira Y M, Tovstyuk N K et al 38 54 (2012)
  55. Akimov I A, Belotelov V I et al J. Opt. Soc. Am. B 29 A103 (2012)
  56. Plekhanov V G Isotope-Based Quantum Information SpringerBriefs in Physics Chapter 4 (2012) p. 77
  57. Gorshkov A P, Karpovich I A et al Semiconductors 46 184 (2012)
  58. Karabko A, Dostanko A et al AMR 222 82 (2011)
  59. Stakhira I M, Tovstyuk N K et al Semiconductors 45 1258 (2011)
  60. Kusrayev Yu G Uspekhi Fizicheskikh Nauk 180 759 (2010)
  61. Nipan G D, Ketsko V A et al Inorg Mater 46 1437 (2010)
  62. Astakhov G V, Hoffmann H et al Phys. Rev. Lett. 102 (18) (2009)
  63. Pokladok N T, Grigorchak I I Russ. J. Phys. Chem. 83 488 (2009)
  64. Dyadkina E A, Grigoryeva N A et al Physica B: Condensed Matter 404 2547 (2009)
  65. Lutsev L V, Stognij A I, Novitskii N N Phys. Rev. B 80 (18) (2009)
  66. Murzina T V, Shebarshin A V et al J. Exp. Theor. Phys. 109 107 (2009)
  67. Murzina T V, Shebarshin A V et al Thin Solid Films 517 5918 (2009)
  68. Aronzon B A, Lagutin A S et al Jetp Lett. 87 164 (2008)
  69. Kuz’menko A P, Zhukov E A et al Phys. Metals Metallogr. 106 164 (2008)
  70. Grygorchak I I, Pelekhovych A I, Volynskaya N V Semiconductors 42 375 (2008)
  71. Chuev M A, Aronzon B A et al Russ Microelectron 37 73 (2008)
  72. Morgunov R B, Farle M, Kazakova O L J. Exp. Theor. Phys. 107 (1) (2008)
  73. Korenev V L Semicond. Sci. Technol. 23 114012 (2008)
  74. Aronzon B A, Kovalchuk M V et al J. Phys.: Condens. Matter 20 145207 (2008)
  75. Aronzon B A, Kul’bachinskiĭ V A et al Jetp Lett. 85 27 (2007)
  76. Pokladok N T, Grygorchak I I et al Phys. Solid State 49 715 (2007)
  77. Kulbachinskii V A, Gurin P V et al 33 174 (2007)
  78. Poklonskiĭ N A, Lapchuk N M, Korobko A O Semiconductors 40 1151 (2006)
  79. Danilyuk A L, Borisenko V E J Appl Spectrosc 73 727 (2006)
  80. Nipan G D, Ketsko V A et al Russ. J. Inorg. Chem. 51 1961 (2006)
  81. Lutsev L V J. Phys.: Condens. Matter 18 5881 (2006)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение