Выпуски

 / 

2005

 / 

Июнь

  

Методические заметки


Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлен взгляд на гибридную структуру ферромагнетик-полупроводник как на единую перестраиваемую систему. На основе анализа существующих экспериментов показано, что, вопреки «здравому смыслу», немагнитный полупроводник способен играть важную роль в управлении ферромагнетизмом. При посредстве полупроводника магнитные свойства гибрида (петлю гистерезиса и ориентацию намагниченности в пространстве) можно перестраивать оптически и электрически. В результате гибридную систему можно рассматривать как элементарную ячейку памяти с электронной записью и считыванием.

Текст pdf (208 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200
PACS: 72.25.Pn, 78.67.−n, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200506d.0629
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
000232636600004
2005PhyU...48..603Z
Цитата: Захарченя Б П, Коренев В Л "Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику" УФН 175 629–635 (2005)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику
AU Захарченя, Б. П.
AU Коренев, В. Л.
PB Успехи физических наук
PY 2005
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 175
IS 6
SP 629-635
UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200506d.0629

English citation: Zakharchenya B P, Korenev V L “Integrating magnetism into semiconductor electronicsPhys. Usp. 48 603–608 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение