Выпуски

 / 

2005

 / 

Июнь

  

Методические заметки


Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику

,
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Представлен взгляд на гибридную структуру ферромагнетик-полупроводник как на единую перестраиваемую систему. На основе анализа существующих экспериментов показано, что, вопреки «здравому смыслу», немагнитный полупроводник способен играть важную роль в управлении ферромагнетизмом. При посредстве полупроводника магнитные свойства гибрида (петлю гистерезиса и ориентацию намагниченности в пространстве) можно перестраивать оптически и электрически. В результате гибридную систему можно рассматривать как элементарную ячейку памяти с электронной записью и считыванием.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 72.25.Pn, 78.67.−n, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200506d.0629
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/
Цитата: Захарченя Б П, Коренев В Л "Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику" УФН 175 629–635 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Zakharchenya:2005,
	author = {Б. П. Захарченя and В. Л. Коренев},
	title = {Интегрируя магнетизм в полупроводниковую электронику},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2005},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {175},
	number = {6},
	pages = {629-635},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2005/6/d/},
	doi = {10.3367/UFNr.0175.200506d.0629}
}

English citation: Zakharchenya B P, Korenev V L “Integrating magnetism into semiconductor electronicsPhys. Usp. 48 603–608 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n06ABEH002200

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение