Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах

 а,  а,  б,  в
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст pdf (285 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125
PACS: 42.65.−k, 71.36.+e, 78.65.-n
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
000230494900007
2005PhyU...48..306G
Цитата: Гиппиус Н А, Тиходеев С Г, Келдыш Л В, Кулаковский В Д "Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах" УФН 175 327–334 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Hard excitation of stimulated
polariton – polariton scattering
in semiconductor microcavities
A1 Gippius,N.A.
A1 Tikhodeev,S.G.
A1 Keldysh,L.V.
A1 Kulakovskii,V.D.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2005
FD 10 Mar, 2005
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 175
IS 3
SP 327-334
DO 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
LK https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/

English citation: Gippius N A, Tikhodeev S G, Keldysh L V, Kulakovskii V D “Hard excitation of stimulated polariton-polariton scattering in semiconductor microcavitiesPhys. Usp. 48 306–312 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение