Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах

 а,  а,  б,  в
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 42.65.−k, 71.36.+e, 78.65.-n
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
Цитата: Гиппиус Н А, Тиходеев С Г, Келдыш Л В, Кулаковский В Д "Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах" УФН 175 327–334 (2005)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах
AU Гиппиус, Н. А.
AU Тиходеев, С. Г.
AU Келдыш, Л. В.
AU Кулаковский, В. Д.
PB Успехи физических наук
PY 2005
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 175
IS 3
SP 327-334
UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200503h.0327

English citation: Gippius N A, Tikhodeev S G, Keldysh L V, Kulakovskii V D “Hard excitation of stimulated polariton-polariton scattering in semiconductor microcavitiesPhys. Usp. 48 306–312 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение