Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах

 а,  а,  б,  в
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 42.65.−k, 71.36.+e, 78.65.-n
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
Цитата: Гиппиус Н А, Тиходеев С Г, Келдыш Л В, Кулаковский В Д "Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах" УФН 175 327–334 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах
A1 Гиппиус,Н.А.
A1 Тиходеев,С.Г.
A1 Келдыш,Л.В.
A1 Кулаковский,В.Д.
PB Успехи физических наук
PY 2005
FD 10 Mar, 2005
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 175
IS 3
SP 327-334
DO 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
LK https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/

English citation: Gippius N A, Tikhodeev S G, Keldysh L V, Kulakovskii V D “Hard excitation of stimulated polariton-polariton scattering in semiconductor microcavitiesPhys. Usp. 48 306–312 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125

© Успехи физических наук, 1918–2020
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение