Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах

 а,  а,  б,  в
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
в Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст pdf (285 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125
PACS: 42.65.−k, 71.36.+e, 78.65.-n
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
000230494900007
2005PhyU...48..306G
Цитата: Гиппиус Н А, Тиходеев С Г, Келдыш Л В, Кулаковский В Д "Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах" УФН 175 327–334 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Gippius:2005,
	author = {N. A. Gippius and S. G. Tikhodeev and L. V. Keldysh and V. D. Kulakovskii},
	title = {Hard excitation of stimulated
polariton – polariton scattering
in semiconductor microcavities},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {2005},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {175},
	number = {3},
	pages = {327-334},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/},
	doi = {10.3367/UFNr.0175.200503h.0327}
}

English citation: Gippius N A, Tikhodeev S G, Keldysh L V, Kulakovskii V D “Hard excitation of stimulated polariton-polariton scattering in semiconductor microcavitiesPhys. Usp. 48 306–312 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение