Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах

Н.А. Гиппиус^а, С.Г. Тиходеев^а, Л.В. Келдыш^б, В.Д. Кулаковский^в
^аИнститут общей физики им. А.М. Прохорова РАН, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация
^бФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
^вИнститут физики твердого тела РАН, Черноголовка, Московская обл., Российская Федерация

Текст: pdf (285 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

PACS: 42.65.−k, 71.36.+e, 78.65.-n
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503h.0327
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/h/
Цитата: Гиппиус Н А, Тиходеев С Г, Келдыш Л В, Кулаковский В Д "Жесткий режим возбуждения поляритон-поляритонного рассеяния в полупроводниковых микрорезонаторах" УФН 175 327–334 (2005)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Gippius N A, Tikhodeev S G, Keldysh L V, Kulakovskii V D “Hard excitation of stimulated polariton-polariton scattering in semiconductor microcavities” Phys. Usp. 48 306–312 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002125