Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках

В.Б. Тимофеев
Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация

Текст pdf (1,1 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002123

PACS: 03.75.Nt, 71.35.Lk, 73.20.Mf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503g.0315
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
Web of Science

000230494900006
ADS NASA

2005PhyU...48..295T
Цитата: Тимофеев В Б "Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках" УФН 175 315 (2005)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

English

PT Journal Article
TI Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках
AU Тимофеев В Б
FAU Тимофеев ВБ
DP 10 Mar, 2005
TA Усп. физ. наук
VI 175
IP 3
PG 315
RX 10.3367/UFNr.0175.200503g.0315
URL https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
SO Усп. физ. наук 2005 Mar 10;175(3):315

English citation: Timofeev V B “Collective exciton effects in spatially separated electron-hole layers in semiconductors” Phys. Usp. 48 295–306 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002123