Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 03.75.Nt, 71.35.Lk, 73.20.Mf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503g.0315
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
Цитата: Тимофеев В Б "Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках" УФН 175 315 (2005)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках
AU Тимофеев, В. Б.
PB Успехи физических наук
PY 2005
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 175
IS 3
SP 315
UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200503g.0315

English citation: Timofeev V B “Collective exciton effects in spatially separated electron-hole layers in semiconductorsPhys. Usp. 48 295–306 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002123

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение