Выпуски

 / 

2005

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках


Институт физики твердого тела РАН, ул. Академика Осипьяна 2, Черноголовка, Московская обл., 142432, Российская Федерация
Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 03.75.Nt, 71.35.Lk, 73.20.Mf (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200503g.0315
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
Цитата: Тимофеев В Б "Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках" УФН 175 315 (2005)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Коллективные экситонные явления в пространственно разделенных электрон-дырочных слоях в полупроводниках
%A В. Б. Тимофеев
%I Успехи физических наук
%D 2005
%J Усп. физ. наук
%V 175
%N 3
%P 315
%U https://ufn.ru/ru/articles/2005/3/g/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200503g.0315

English citation: Timofeev V B “Collective exciton effects in spatially separated electron-hole layers in semiconductorsPhys. Usp. 48 295–306 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n03ABEH002123

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение