Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

PACS: 63.20.−e, 63.20.Dj, 78.30.−j (все) DOI: 10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/ 000223338900002 2004PhyU...47..249F Цитата: Фальковский Л А "Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света" УФН 174 259–283 (2004) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks Русский English RT Journal T1 Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering A1 Falkovsky,L.A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2004 FD 10 Mar, 2004 JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JO Usp. Fiz. Nauk VO 174 IS 3 SP 259-283 DO 10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 LK https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/ English citation: Falkovsky L A “Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering” Phys. Usp. 47 249–272 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n03ABEH001735