Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

PACS: 63.20.−e, 63.20.Dj, 78.30.−j (все) DOI: 10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/ 000223338900002 2004PhyU...47..249F Цитата: Фальковский Л А "Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света" УФН 174 259–283 (2004) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света AU Фальковский, Л. А. PB Успехи физических наук PY 2004 JO Успехи физических наук JF Успехи физических наук JA Усп. физ. наук VL 174 IS 3 SP 259-283 UR https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 English citation: Falkovsky L A “Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering” Phys. Usp. 47 249–272 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n03ABEH001735