Рассмотрено влияние дефектов и носителей заряда на динамику решетки и, в частности, на комбинационное рассеяние света в полупроводниках и металлах; проведено сравнение теории с экспериментальными данными. Рассеяние фононов на точечных, линейных или плоских дефектах приводит к смещению фононных частот и затуханию, что сказывается на форме линии комбинационного рассеяния. Этот эффект используется для исследования упругих напряжений вблизи границ, а также для определения качества полупроводниковых элементов. Анализ взаимодействия фононов с носителями заряда основан на адиабатичности электрон-фононной системы и прямом учете кулоновского поля, возбуждаемого при колебаниях решетки. Присутствие носителей особенно существенно вблизи таких частот и волновых векторов фононов, где возникает затухание Ландау вследствие рождения электрон-дырочных пар. Обсуждается возможность определения величины электрон-фононного взаимодействия при исследовании спектра связанных фонон-плазмонных мод.

PACS: 63.20.−e, 63.20.Dj, 78.30.−j (все) DOI: 10.3367/UFNr.0174.200403b.0259 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2004/3/b/ 000223338900002 2004PhyU...47..249F Цитата: Фальковский Л А "Исследования полупроводников с дефектами методом комбинационного (рамановского) рассеяния света" УФН 174 259–283 (2004) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks English citation: Falkovsky L A “Investigation of semiconductors with defects using Raman scattering” Phys. Usp. 47 249–272 (2004); DOI: 10.1070/PU2004v047n03ABEH001735